功率器件

深圳市凯泰电子有限公司
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电机驱动SJ-IGBT
电机驱动SJ-IGBT
电机驱动SJ-IGBT
随着工业自动化和生活智能化的发展，电机的应用越来越多，因电机种类不同，IGBT和MOS均有应用。 电机驱动SJ-IGBT型号推荐 SIF30N60G2、SIW75N60G2、SIW75N60GIH
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电力电源SJ-MOS
电力电源SJ-MOS
电力电源SJ-MOS
MOS器件广泛应用于电力电源领域，如储能、断路器、灭弧及拓扑识别。我们的高压SJ-MOS，采用创新的多层外延工艺，具备高频开关、超低内阻、卓越可靠性及强大抗浪涌能力，完美契合电力电子对功率器件高耐用性与高效率的严苛要求。电力电源SJ-MOS型号推荐SSF80R240S2、SSF80R240S、SSF80R380S2、SSW90R160S2、SSF90R420S2、SSF
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锂电充电SJ-MOS
锂电充电SJ-MOS
锂电充电SJ-MOS
在锂电池应用场景不断拓展的当下，市场对锂电池充电器的充电效率、体积和安全性提出了更高要求。我们的高压 SJ-MOS 凭借多层外延工艺这一核心技术，实现了三大突破：高频开关设计大幅提升充电效率；强抗干扰能力保障充电安全稳定；更能缩小系统变压器体积，进而使整机小型化，同时降低系统成本，完美匹配行业升级需求。锂电
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工业电源SJ-MOS、SiC碳化硅
工业电源SJ-MOS、SiC碳化硅
工业电源SJ-MOS、SiC碳化硅
数据中心、工业自动化设备等对电力稳定性要求极高的场景中，PFC 拓扑的应用愈发广泛。但在这些场景下，PFC 拓扑对 MOS 管提出了近乎苛刻的要求：既要维持温升可控、效率领先、系统稳定，又要承受启动时巨大的冲击电流，尤其是设备频繁重启时，电流冲击会对 MOS 管造成持续损耗。这使得应用于 PFC 电路的 MOS 管，必须具备出
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UPS电源SJ-MOS
UPS电源SJ-MOS
UPS电源SJ-MOS
在数据中心、医疗设备、工业自动化等不容断电的场景中，不间断电源（UPS）是稳定运行的基石。正常供电时，它默默稳压供电、为电池蓄能；当意外断电突袭，毫秒级切换至电池逆变供电，持续输出 220V/380V 稳定电力。适配 UPS 电源的我司高压 SJ-MOS，经多层外延工艺淬炼，具备抗浪涌、低干扰特性，全方位提升供电系统可靠性。
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充电桩SJ-MOS、SiC碳化硅
充电桩SJ-MOS、SiC碳化硅
充电桩SJ-MOS、SiC碳化硅
在追求极致充电体验的当下，充电桩既要快又要稳，更要兼顾成本。我们推出的 SJ-MOS 与 SiC 二极管组合，正是破解这一难题的关键。SJ-MOS 以多层外延工艺和优化元胞结构，带来远超行业标准的可靠性与一致性；SiC 二极管则以 “双低一强”（低导通损耗、低开关损耗、强抗雷击浪涌）的卓越性能，为充电桩注入澎湃动力。二者组合
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车载OBC SJ-MOS、SiC碳化硅
车载OBC SJ-MOS、SiC碳化硅
车载OBC SJ-MOS、SiC碳化硅
新能源汽车停车充电时，车载 OBC 作为核心组件，将交流电网电能转化为适配高压电池的 200V-450V 直流电压。我司高压 SJ-MOS 基于多层外延工艺打造，实测开关频率较传统产品提升 30%，抗浪涌能力增强 40%，以卓越的性能参数完美适配 PFC 端应用，为新能源汽车充电系统的高效运行与安全防护提供可靠技术支撑。车载OBC SJ-MOS型
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光伏逆变SJ-MOS、SiC碳化硅
光伏逆变SJ-MOS、SiC碳化硅
光伏逆变SJ-MOS、SiC碳化硅
太阳能微逆变器可实现单个 400W 光伏电池板的电源转换，多板协同下额定功率可达 1.5KW。自欧洲能源危机爆发，其需求呈爆发式增长，热度居高不下。我们的 800V 高压 SJ-MOS，依托多层外延工艺，经严苛测试验证，在可靠性与一致性方面表现远超行业标准，能够完美满足各类设计需求，是提升太阳能微逆变器性能的理想选择。
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IGBT绝缘栅双极型晶体管
IGBT绝缘栅双极型晶体管
IGBT绝缘栅双极型晶体管
IGBT产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，广泛应用于电动汽车充电、家用电器驱动、计算机电源、UPS等领域
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氮化镓（GaN）
氮化镓（GaN）
氮化镓（GaN）
氮化镓芯片具有高频特性优异、高功率密度、低损耗、高温工作能力强、易于集成、应用范围广等优势，在高频通信、功率电子、消费电子、新能源汽车、航空航天等诸多领域具有重要的应用前景和巨大的发展潜力，但目前也面临制造成本较高、技术难度较大等挑战。
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碳化硅（SiC）
碳化硅（SiC）
碳化硅（SiC）
SiC碳化硅二极管具有电气性能优异（高击穿电压、低导通损耗、极小反向恢复电流）、热性能良好（高热导率、高工作温度）、物理特性独特（小尺寸、高抗辐射能力）、正温度系数利于并联以及良好频率特性等优势
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