氮化镓 碳化硅 IGBT
home主页图标 氮化镓 碳化硅 IGBT
IGBT绝缘栅双极型晶体管
IGBT绝缘栅双极型晶体管
IGBT绝缘栅双极型晶体管
IGBT产品具有较大的饱和电流和良好的导通损耗/开关损耗折中特性，广泛应用于电动汽车充电、家用电器驱动、计算机电源、UPS等领域
了解更多
氮化镓（GaN）
氮化镓（GaN）
氮化镓（GaN）
氮化镓芯片具有高频特性优异、高功率密度、低损耗、高温工作能力强、易于集成、应用范围广等优势，在高频通信、功率电子、消费电子、新能源汽车、航空航天等诸多领域具有重要的应用前景和巨大的发展潜力，但目前也面临制造成本较高、技术难度较大等挑战。
了解更多
碳化硅（SiC）
碳化硅（SiC）
碳化硅（SiC）
SiC碳化硅二极管具有电气性能优异（高击穿电压、低导通损耗、极小反向恢复电流）、热性能良好（高热导率、高工作温度）、物理特性独特（小尺寸、高抗辐射能力）、正温度系数利于并联以及良好频率特性等优势
了解更多